LTC6994MPS6-1#TRMPBF
Analog Devices · 封装：SOT-6
主要参数包括工作电源电流 55 uA，采用 SOT-6 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录DS1100Z-75+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1110E-450+
Maxim Integrated · 封装：TSSOP-14
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.9 mm，采用 TSSOP-14 封装。DS1135LZ-15+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Active Multiple Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1100LU-35+
Maxim Integrated · 封装：USOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.95 mm，采用 USOP-8 封装。DS1110S-100+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 12 mA、逻辑类型 CMOS, TTL、功能 Active Tapped Delay Line，采用 SOIC-Wide-16 封装。DS1110S-50+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 12 mA、逻辑类型 CMOS, TTL、功能 Active Tapped Delay Line，采用 SOIC-Wide-16 封装。DS1135Z-30+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Multiple Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1100LU-300+
Maxim Integrated · 封装：USOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.95 mm，采用 USOP-8 封装。DS1100LU-250+
Maxim Integrated · 封装：USOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.95 mm，采用 USOP-8 封装。DS1100Z-30+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1100Z-60+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1110E-100+
Maxim Integrated · 封装：TSSOP-14
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.9 mm，采用 TSSOP-14 封装。DS1100Z-45+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 12 mA、功能 Active Tapped Delay Line、传播延迟时间 45 ns，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1100U-125+
Maxim Integrated · 封装：USOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.95 mm，采用 USOP-8 封装。DS1135Z-8+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Multiple Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1100LZ-150+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、高电平输出电流 -1 mA、低电平输出电流 8 mA、功能 Active Tapped Delay Line、传播延迟时间 150 ns，采用 SOIC-8 封装。DS1100LU-500+
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 8 mA、逻辑类型 CMOS、功能 Active Tapped Delay Line，采用 UMAX-8 封装。DS1100LU-25+
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、高电平输出电流 1 mA、低电平输出电流 8 mA、逻辑类型 CMOS、功能 Active Tapped Delay Line，采用 UMAX-8 封装。DS1100Z-150+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。