SY89295UTG
Microchip Technology / Micrel · 封装：TQFP-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.375 V、输入信号类型 LVPECK、功能 Programmable Delay、传播延迟时间 3.2 ns to 14.8 ns、最大工作温度 + 85 C，采用 TQFP-32 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录SY100EP195VTG
Microchip Technology / Micrel · 封装：TQFP-32
主要参数包括湿敏性 是、单件重量 0.002568 oz，采用 TQFP-32 封装。DS1023S-200+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Programmable Delay Line、最大工作温度 + 70 C、最小工作温度 0 C、高度 2.35 mm，采用 SOIC-Wide-16 封装。LTC6994HS6-1#TRMPBF
Analog Devices · 封装：SOT-6
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、高电平输出电流 - 16 mA、低电平输出电流 16 mA、功能 Programmable Delay、传播延迟时间 10 ns，采用 SOT-6 封装。LTC6994CS6-2#TRMPBF
Analog Devices · 封装：SOT-6
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、高电平输出电流 - 16 mA、低电平输出电流 16 mA、功能 Programmable Delay、传播延迟时间 10 ns，采用 SOT-6 封装。DS1100Z-20+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 12 mA、逻辑类型 CMOS, TTL、功能 Active Tapped Delay Line，采用 SOIC-Narrow-8 封装。SY89296UTG
Microchip Technology / Micrel · 封装：TQFP-32
主要参数包括湿敏性 是、单件重量 0.002568 oz，采用 TQFP-32 封装。LTC6994CS6-1#TRMPBF
Analog Devices · 封装：SOT-6
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、高电平输出电流 - 16 mA、低电平输出电流 16 mA、功能 Programmable Delay、传播延迟时间 10 ns，采用 SOT-6 封装。NB6L295MMNG
ON Semiconductor · 封装：QFN-24 EP
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.375 V、数据速率 2.5 Gb/s、功能 Active Programmable Delay Line、传播延迟时间 3.2 ns、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-24 EP 封装。HMC877LC3
Analog Devices / Hittite · 封装：QSOP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、输入信号类型 Differential、功能 Broadband Time Delay、传播延迟时间 140 ps、最大工作温度 + 85 C，采用 QSOP-16 封装。DS1100LZ-20+T
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。SY89295UMG
Microchip Technology / Micrel · 封装：MLF-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.375 V、高电平输出电流 40 uA、低电平输出电流 - 300 uA、功能 Precision Programmable Delay、传播延迟时间 3200 ps to 4200 ps，采用 MLF-32 封装。DS1100Z-100+T&R
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。EL9115ILZ
Renesas / Intersil · 封装：QFN EP
主要参数包括最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.88 mm、长度 5 mm、宽度 5 mm、湿敏性 是，采用 QFN EP 封装。HMC911LC4B
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.47 V、电源电压（最小值） 3.13 V、数据速率 32 Gb/s、输入信号类型 Differential、功能 Broadband Time Delay、传播延迟时间 480 ps，采用 QFN-24 封装。DS1023S-25+T
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Programmable Delay Line、最大工作温度 + 70 C、最小工作温度 0 C、高度 2.35 mm，采用 SOIC-Wide-16 封装。SY100EP195VTG-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：TQFP-32
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 SY100EP195VTG TR、单件重量 0.002568 oz，采用 TQFP-32 封装。LTC6994HDCB-1#TRMPBF
Analog Devices · 封装：DFN-6
主要参数包括工作电源电流 0.055 mA，采用 DFN-6 封装。LTC6994IS6-2#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOT-6
主要参数包括工作电源电流 0.055 mA，采用 SOT-6 封装。LTC6994MPS6-2#TRMPBF
Analog Devices · 封装：SOT-6
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、高电平输出电流 - 16 mA、低电平输出电流 16 mA、功能 Programmable Delay、传播延迟时间 10 ns，采用 SOT-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。