74HCS595BQ-Q100X
Nexperia
主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 935691489115 935690000000。逻辑与时钟
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
45,197 条型号记录74HCS595BQX
Nexperia · 封装：DHVQFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 5 V、高电平输出电流 7.8 mA、低电平输出电流 7.8 mA、输出类型 3-State，采用 DHVQFN-16 封装。74HCS595D-Q100J
Nexperia
主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 935691872118 935690000000。74HCS595PW-Q100J
Nexperia
主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 935691492118 935690000000。74HCS596BQ-Q100X
Nexperia
主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 935691494115 935690000000。74HCS596BQX
Nexperia
主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 935691493115 935690000000。74HCS596DJ
Nexperia
主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 935691495118 935690000000。SN74LV8T596QPWRQ1
Texas Instruments
主要参数包括逻辑系列 LV、原产国家或地区 马来西亚。74HC595D
Toshiba · 封装：SOIC-16
主要参数包括逻辑系列 HC、晶圆制造国家或地区 日本、原产国家或地区 日本，采用 SOIC-16 封装。DS1100Z-50+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 12 mA、逻辑类型 CMOS, TTL、功能 Active Tapped Delay Line，采用 SOIC-Narrow-8 封装。MC100EP195BFAG
ON Semiconductor · 封装：LQFP-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Programmable Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.45 mm，采用 LQFP-32 封装。MC100EP196FAG
ON Semiconductor · 封装：LQFP-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Programmable Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.45 mm，采用 LQFP-32 封装。DS1023S-50+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 8 mA、接口类型 Parallel, Serial、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-Wide-16 封装。DS1100LU-50+
Maxim Integrated · 封装：USOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.95 mm，采用 USOP-8 封装。DS1100LZ-200+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1023S-25+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 8 mA、接口类型 Parallel, Serial、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-Wide-16 封装。LTC6994IS6-1#TRMPBF
Analog Devices · 封装：SOT-6
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、高电平输出电流 - 16 mA、低电平输出电流 16 mA、功能 Programmable Delay、传播延迟时间 10 ns，采用 SOT-6 封装。MC100EP195FAG
ON Semiconductor · 封装：LQFP-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Programmable Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.45 mm，采用 LQFP-32 封装。DS1023S-500+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 8 mA、接口类型 Parallel, Serial、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-Wide-16 封装。LTC6994IS6-2#TRMPBF
Analog Devices · 封装：SOT-6
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、功能 Programmable Delay、传播延迟时间 1 us to 33.6 s、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 SOT-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。