HCPL-902J
Broadcom / Avago · 封装:SO-16
主要参数包括通道数 4 个通道、工作电源电压 5.5 V、输出电流 10 mA、隔离类型 Giant Magnetoresistive GMR、隔离电压 2500 V、工作电源电流 2 mA/6 mA,采用 SO-16 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Broadcom / Avago · 封装:SO-16
主要参数包括通道数 4 个通道、工作电源电压 5.5 V、输出电流 10 mA、隔离类型 Giant Magnetoresistive GMR、隔离电压 2500 V、工作电源电流 2 mA/6 mA,采用 SO-16 封装。Broadcom / Avago · 封装:DIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5.5 V、输出电流 10 mA、隔离类型 Giant Magnetoresistive GMR、隔离电压 2500 V、工作电源电流 2 mA,采用 DIP-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:SO-16
主要参数包括通道数 4 个通道、工作电源电压 5.5 V、输出电流 10 mA、隔离类型 Giant Magnetoresistive GMR、隔离电压 2500 V、工作电源电流 4 mA,采用 SO-16 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-20
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 100 Mb/s,采用 SOIC-20 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-20
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 100 Mb/s,采用 SOIC-20 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-20
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 100 Mb/s,采用 SOIC-20 封装。Broadcom / Avago · 封装:SOIC-Narrow-16
主要参数包括隔离类型 Giant Magnetoresistive GMR、产品 Digital Isolators、单件重量 0.007079 oz,采用 SOIC-Narrow-16 封装。Broadcom / Avago · 封装:DIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5.5 V、输出电流 10 mA、隔离类型 Giant Magnetoresistive GMR、隔离电压 2500 V、工作电源电流 10 uA/4 mA,采用 DIP-8 封装。Analog Devices · 封装:QSOP-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 2 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling、类型 General Purpose,采用 QSOP-16 封装。Analog Devices / Linear Technology · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、输出电流 100 mA、类型 ISOPwr、传播延迟时间 60 ns,采用 SOIC-16 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-16
主要参数包括正向通道数 2 个通道、反向通道数 2 个通道、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、认证等级 AEC-Q100、产品 Digital Isolators,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-N-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.71 V、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-N-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 100 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:SSOP-20
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.8 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SSOP-20 封装。Texas Instruments · 封装:SSOP-16
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 4 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 100 Mb/s,采用 SSOP-16 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-20
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 3 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 100 Mb/s,采用 SOIC-20 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 5 V、类型 Standard、传播延迟时间 32 ns,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 100 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。