LTM2886HY-5I#PBF
Analog Devices · 封装：BGA-32
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 3 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、数据速率 20 Mb/s，采用 BGA-32 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录LTM2886IY-5S#PBF
Analog Devices · 封装：BGA-32
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 3 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、数据速率 20 Mb/s，采用 BGA-32 封装。LTM2887IY-5S#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：BGA-32
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 3 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、数据速率 20 Mb/s，采用 BGA-32 封装。LTM2886IY-5I#PBF
Analog Devices · 封装：BGA-32
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 3 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、数据速率 20 Mb/s，采用 BGA-32 封装。LTM2886IY-3S#PBF
Analog Devices · 封装：BGA-32
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 3 个通道、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 20 Mb/s，采用 BGA-32 封装。LTM2887IY-3I#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：BGA-32
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 3 个通道、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 20 Mb/s，采用 BGA-32 封装。LTM2887IY-5I#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：BGA-32
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 3 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、数据速率 20 Mb/s，采用 BGA-32 封装。LTM2886IY-3I#PBF
Analog Devices · 封装：BGA-32
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 3 个通道、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 20 Mb/s，采用 BGA-32 封装。LTM2887IY-3S#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：BGA-32
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 3 个通道、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 20 Mb/s，采用 BGA-32 封装。LTM2886CY-3I#PBF
Analog Devices · 封装：BGA-32
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 3 个通道、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 20 Mb/s，采用 BGA-32 封装。LTM2887CY-3S#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：BGA-32
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 3 个通道、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 20 Mb/s，采用 BGA-32 封装。LTM2887CY-3I#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：BGA-32
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 3 个通道、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 20 Mb/s，采用 BGA-32 封装。LTM2886CY-5S#PBF
Analog Devices · 封装：BGA-32
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 3 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、数据速率 20 Mb/s，采用 BGA-32 封装。SI8711CC-B-IPR
Silicon Labs · 封装：DIP-8/GW
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 30 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose，采用 DIP-8/GW 封装。SI8712BC-B-IPR
Silicon Labs · 封装：DIP-8/GW
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 30 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 15 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose，采用 DIP-8/GW 封装。SI8716BC-A-IPR
Silicon Labs · 封装：DIP-8/GW
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、数据速率 15 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、隔离电压 3.75 kVrms，采用 DIP-8/GW 封装。SI8717BC-A-IP
Silicon Labs · 封装：DIP-8/GW
主要参数包括通道数 1 个通道、正向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、数据速率 15 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 DIP-8/GW 封装。SI8711BC-B-IPR
Silicon Labs · 封装：DIP-8/GW
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 30 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 15 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose，采用 DIP-8/GW 封装。SI8719BC-A-IPR
Silicon Labs · 封装：DIP-8/GW
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、数据速率 15 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、隔离电压 3.75 kVrms，采用 DIP-8/GW 封装。SI8720BC-A-IPR
Silicon Labs
主要参数包括隔离类型 Capacitive Coupling、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。