ADUM231D1BRIZ
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 3 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.7 V、隔离类型 Magnetic Coupling，采用 SOIC-16 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录SI8661EB-B-IUR
Silicon Labs · 封装：QSOP-16
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 5 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.375 V、数据速率 150 Mb/s，采用 QSOP-16 封装。HCPL-901J-500E
Broadcom / Avago · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括隔离类型 Giant Magnetoresistive GMR、产品 Digital Isolators、单件重量 0.007079 oz，采用 SOIC-Narrow-16 封装。ISO7821LLDWWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、数据速率 100 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。MAX14930CAWE+T
Maxim Integrated · 封装：SOIC-16 Wide
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 150 Mb/s，采用 SOIC-16 Wide 封装。ISO7330FCDWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括隔离类型 Capacitive Coupling、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、产品 Digital Isolators、湿敏性 是，采用 SOIC-16 封装。SI8651EB-B-IU
Silicon Labs · 封装：QSOP-16
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 5 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.375 V、数据速率 150 Mb/s，采用 QSOP-16 封装。SI8712CC-B-IPR
Silicon Labs · 封装：DIP-8/GW
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 30 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose，采用 DIP-8/GW 封装。SI8720BC-A-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、正向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、数据速率 15 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-8 封装。ADUM242E0WBRWZ
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.7 V、数据速率 150 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。SI8410BD-D-IS
Silicon Labs
主要参数包括隔离类型 Capacitive Coupling、产品 Digital Isolators。SI8712AC-B-IP
Silicon Labs · 封装：DIP-8/GW
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 30 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 15 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose，采用 DIP-8/GW 封装。MAX14930FAEE+
Maxim Integrated · 封装：QSOP-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 150 Mb/s，采用 QSOP-16 封装。SI8635BT-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括通道数 3 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、数据速率 150 Mb/s，采用 SOIC-Wide-16 封装。SI8715BC-A-IPR
Silicon Labs · 封装：DIP-8/GW
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、数据速率 15 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、隔离电压 3.75 kVrms，采用 DIP-8/GW 封装。SI8710BC-B-IPR
Silicon Labs · 封装：DIP-8/GW
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 30 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 15 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose，采用 DIP-8/GW 封装。SI8410AD-D-IS
Silicon Labs
主要参数包括隔离类型 Capacitive Coupling、产品 Digital Isolators。ADUM240E0WBRWZ
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.7 V、数据速率 150 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。SI8662BC-A-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16 Narrow
主要参数包括通道数 6 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-16 Narrow 封装。SI8630BT-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括通道数 3 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、数据速率 150 Mb/s，采用 SOIC-Wide-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。