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Analog Devices · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.7 V、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Analog Devices · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.7 V、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 2 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling、隔离电压 2.5 kV。Analog Devices / Linear Technology · 封装:SSOP-24
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.7 V、数据速率 150 Mb/s,采用 SSOP-24 封装。Analog Devices / Linear Technology · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、输出电流 100 mA、数据速率 25 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 2 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling、隔离电压 2.5 kV。Texas Instruments · 封装:SSOP-16
主要参数包括通道数 3 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 100 Mb/s,采用 SSOP-16 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 6 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.7 V、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 6 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling,采用 SOIC-Narrow-16 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 6 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、输出电流 10 mA、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-Narrow-16 封装。Analog Devices
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 3.3 V, 5 V、数据速率 10 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling。Silicon Labs · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 3 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3.1 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-20
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 2.625 V, 3.6 V、电源电压(最小值) 2.375 V, 3 V、数据速率 1.25 Gb/s,采用 SOIC-20 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 5 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、输出电流 10 mA、隔离类型 Capacitive Coupling,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices / Linear Technology · 封装:SOIC-20
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、输出电流 400 mA、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-20 封装。Analog Devices / Linear Technology · 封装:SSOP-20
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、隔离类型 Magnetic Coupling、类型 ISOPwr、传播延迟时间 15 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 SSOP-20 封装。Maxim Integrated · 封装:GQFN-70
主要参数包括通道数 8 个通道、电源电压(最大值) 65 V、电源电压(最小值) 7 V、隔离类型 Galvanic Isolation、类型 Industrial Digital Input、极性 Unidirectional,采用 GQFN-70 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、类型 Standard、传播延迟时间 32 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 SOIC-16 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 25 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。