ADUM2210TRWZ-RL
Analog Devices · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 10 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-16 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Analog Devices · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 10 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 2 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling、隔离电压 2.5 kV。Analog Devices · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 1.7 V、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices
主要参数包括通道数 2 个通道、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。Analog Devices · 封装:ADN4620
主要参数包括通道数 2 个通道、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、湿敏性 是,采用 ADN4620 封装。Analog Devices
主要参数包括通道数 2 个通道、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、湿敏性 是。Analog Devices · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 5 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.7 V、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.7 V、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 25 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-8 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 25 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 100 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 10 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 25 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling、类型 General Purpose,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 10 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-16 封装。Silicon Labs
主要参数包括隔离类型 Capacitive Coupling、产品 Digital Isolators、湿敏性 是。Analog Devices · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 100 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 100 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-8 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 2.7~5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling,采用 SOIC-Narrow-16 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。