ISO7242ADW
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose、极性 Unidirectional、隔离电压 4 kVrms，采用 SOIC-16 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录HCPL-9000
Broadcom / Avago · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5.5 V、输出电流 10 mA、隔离类型 Giant Magnetoresistive GMR、隔离电压 2500 V、工作电源电流 10 uA/4 mA，采用 DIP-8 封装。HCPL-0900
Broadcom / Avago · 封装：SO-8
主要参数包括隔离类型 Giant Magnetoresistive GMR、产品 Digital Isolators、单件重量 0.017870 oz，采用 SO-8 封装。SI8462BB-B-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 6 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI88620ED-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-20
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 100 Mb/s，采用 SOIC-20 封装。SI8435BB-D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 3 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、隔离类型 Capacitive Coupling、传播延迟时间 6 ns，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI88622ED-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-20
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 0 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 100 Mb/s，采用 SOIC-20 封装。SI8440BB-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-Wide-16 封装。SI88243ED-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-20
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 3 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 100 Mb/s，采用 SOIC-20 封装。SI8461AB-B-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 6 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI8445BB-D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI8463AB-B-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 6 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI8430AB-D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 3 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI8400AA-B-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3～5.5 V、数据速率 10 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-8 封装。SI8460BB-B-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 6 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、隔离类型 Capacitive Coupling、传播延迟时间 6 ns，采用 SOIC-Narrow-16 封装。ADUM2201ARIZ-RL
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling，采用 SOIC-16 封装。ADUM1285ARZ-RL7
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling，采用 SOIC-8 封装。ADUM141E0BRQZ
Analog Devices · 封装：QSOP-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.7 V、数据速率 150 Mb/s，采用 QSOP-16 封装。ADUM120N1WBRZ
Analog Devices · 封装：SOIC-N-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 150 Mb/s，采用 SOIC-N-8 封装。ADUM5201ARWZ-RL
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、输出电流 100 mA、隔离类型 Magnetic Coupling、类型 ISOPwr，采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。