SI8431AB-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、隔离类型 Capacitive Coupling、产品 Digital Isolators、湿敏性 是。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录SI8420AB-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、隔离类型 Capacitive Coupling、产品 Digital Isolators、湿敏性 是。SI8440BB-D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-Narrow-16 封装。MAX14934BAWE+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 25 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。MAX14935DAWE+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括隔离类型 Capacitive Coupling、传播延迟时间 38.2 ns、产品 Digital Isolators、型号别名 MAX14935，采用 SOIC-Wide-16 封装。MAX14934DAWE+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 1 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。SI8442AB-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-Wide-16 封装。SI8442BB-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、隔离类型 Capacitive Coupling、传播延迟时间 6 ns，采用 SOIC-Wide-16 封装。SI8441BB-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、隔离类型 Capacitive Coupling、传播延迟时间 6 ns，采用 SOIC-Wide-16 封装。SI8420AB-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-8 Narrow
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、隔离类型 Capacitive Coupling、传播延迟时间 35 ns，采用 SOIC-8 Narrow 封装。SI8421AB-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-8 Narrow
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-8 Narrow 封装。SI8410AB-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-8 Narrow
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-8 Narrow 封装。SI8410BB-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-8 Narrow
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-8 Narrow 封装。SI8442AB-D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-Narrow-16 封装。ISO7241ADW
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose、极性 Unidirectional、隔离电压 4 kVrms，采用 SOIC-16 封装。ADUM1200UR-EP-RL7
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、隔离类型 Magnetic Coupling、类型 Standard、传播延迟时间 45 ns，采用 SOIC-8 封装。ISO7240ADW
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、工作电源电压 3.15～5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose、极性 Unidirectional，采用 SOIC-16 封装。HCPL-092J
Broadcom / Avago · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括隔离类型 Giant Magnetoresistive GMR、产品 Digital Isolators、单件重量 0.007079 oz，采用 SOIC-Narrow-16 封装。HCPL-0931
Broadcom / Avago · 封装：SO-8
主要参数包括隔离类型 Giant Magnetoresistive GMR、产品 Digital Isolators、单件重量 0.017870 oz，采用 SO-8 封装。HCPL-9000-500
Broadcom / Avago · 封装：DIP-8 Gull Wing
主要参数包括隔离类型 Giant Magnetoresistive GMR、产品 Digital Isolators，采用 DIP-8 Gull Wing 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。