SI8631BT-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括通道数 3 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、数据速率 150 Mb/s，采用 SOIC-Wide-16 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录Si88621BC-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-20
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 100 Mb/s，采用 SOIC-20 封装。SI8635BD-B-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 3 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、输出电流 10 mA、数据速率 150 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。SI8050AA-B-IU
Silicon Labs · 封装：QSOP-16
主要参数包括通道数 5 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3.15 V、数据速率 10 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、输入类型 Schmitt Trigger，采用 QSOP-16 封装。ISO7231ADW
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 3 个通道、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose、极性 Unidirectional、隔离电压 4 kVrms，采用 SOIC-16 封装。SI8421AB-D-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-8 封装。SI8441BB-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括隔离类型 Capacitive Coupling、产品 Digital Isolators、湿敏性 是。SI8431BB-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括隔离类型 Capacitive Coupling、产品 Digital Isolators、湿敏性 是。SI8462AB-B-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 6 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI8440AB-D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI8410BB-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括隔离类型 Capacitive Coupling、产品 Digital Isolators、湿敏性 是。SI8441BB-D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI8441AB-D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI8442BB-D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI8440AB-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-Wide-16 封装。SI8420BB-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-8 Narrow
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-8 Narrow 封装。SI8421BB-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-8 Narrow
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、隔离类型 Capacitive Coupling、传播延迟时间 6 ns，采用 SOIC-8 Narrow 封装。SI8462BB-B-IS1R
Silicon Labs
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、隔离类型 Capacitive Coupling、产品 Digital Isolators、湿敏性 是。SI8440BB-D-IS1R
Silicon Labs
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、隔离类型 Capacitive Coupling、产品 Digital Isolators、湿敏性 是。SI8431AB-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括通道数 3 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、隔离类型 Capacitive Coupling、传播延迟时间 35 ns，采用 SOIC-Wide-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。