SI8640EB-B-IU
Silicon Labs · 封装:QSOP-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.375 V、数据速率 150 Mb/s,采用 QSOP-16 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Silicon Labs · 封装:QSOP-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.375 V、数据速率 150 Mb/s,采用 QSOP-16 封装。Silicon Labs · 封装:DIP-8/GW
主要参数包括通道数 1 个通道、正向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、数据速率 15 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling,采用 DIP-8/GW 封装。Silicon Labs · 封装:DIP-8/GW
主要参数包括通道数 1 个通道、正向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、数据速率 15 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling,采用 DIP-8/GW 封装。Silicon Labs · 封装:SDIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、正向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、数据速率 15 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling,采用 SDIP-6 封装。Silicon Labs · 封装:DIP-8/GW
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 15 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose,采用 DIP-8/GW 封装。Silicon Labs · 封装:QSOP-20
主要参数包括通道数 8 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 2 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose,采用 QSOP-20 封装。Silicon Labs
主要参数包括隔离类型 Capacitive Coupling、产品 Digital Isolators、湿敏性 是、单件重量 0.022505 oz。Analog Devices · 封装:DFN-10
主要参数包括单件重量 0.007055 oz,采用 DFN-10 封装。Silicon Labs · 封装:DIP-8/GW
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 15 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose,采用 DIP-8/GW 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-20
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 100 Mb/s,采用 SOIC-20 封装。Silicon Labs · 封装:QSOP-20
主要参数包括通道数 8 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 2 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose,采用 QSOP-20 封装。Silicon Labs · 封装:QSOP-20
主要参数包括通道数 8 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 2 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose,采用 QSOP-20 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-Wide-16
主要参数包括通道数 5 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、输出电流 10 mA、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-Wide-16 封装。Silicon Labs · 封装:DIP-8/GW
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose,采用 DIP-8/GW 封装。Analog Devices · 封装:DFN-10
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、隔离类型 Capacitive Coupling,采用 DFN-10 封装。Analog Devices · 封装:MSOP-10
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 0.4 Mb/s,采用 MSOP-10 封装。Analog Devices · 封装:DFN-10
采用 DFN-10 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 5 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、输出电流 10 mA、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 100 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Silicon Labs · 封装:QSOP-20
主要参数包括通道数 8 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 250 kb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose,采用 QSOP-20 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。