ISO7720DR
Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 100 Mb/s,采用 SOIC-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 100 Mb/s,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 25 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 3 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 100 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 3 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 100 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.7 V、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 3 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 25 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:QSOP-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.7 V、数据速率 150 Mb/s,采用 QSOP-16 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 3 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 25 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 25 Mb/s,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 100 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 100 Mb/s,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SSOP-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、数据速率 50 Mb/s,采用 SSOP-16 封装。Texas Instruments · 封装:SSOP-16
主要参数包括通道数 3 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 100 Mb/s,采用 SSOP-16 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-20
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 100 Mb/s,采用 SOIC-20 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 100 Mb/s,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 100 Mb/s,采用 SOIC-8 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-20
主要参数包括通道数 4 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 100 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling,采用 SOIC-20 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 5 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.375 V、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、数据速率 15 Mb/s,采用 SOIC-8 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-24
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 100 Mb/s,采用 SOIC-24 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。