DPC1012S-TR
Diodes Incorporated · 封装：LSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 63 %、电流传输比（最大值） 125 %、正向电流（If） 10 mA，采用 LSOP-4 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录CNY17-1S-TA
LITEON · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 60 mA、正向电压（Vf） 1.65 V、最大集电极－发射极电压 70 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。CNY17-3S
LITEON · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 100 %、电流传输比（最大值） 200 %、正向电流（If） 60 mA，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。CNY17-3S-TA
LITEON · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 100 %、电流传输比（最大值） 200 %、正向电流（If） 60 mA，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。CNY17-3S-TA1
LITEON · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 100 %、电流传输比（最大值） 200 %、正向电流（If） 60 mA，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。TLP295-4(E
Toshiba
该型号为晶体管。TLP295-4(TP,E
Toshiba · 封装：SO-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 100 %、电流传输比（最大值） 700 %、正向电流（If） 50 mA，采用 SO-16 封装。TLP295-4(V4,E
Toshiba
该型号为晶体管。TLP295-4(V4-TP,E
Toshiba
该型号为晶体管。DPC1013S-TR
Diodes Incorporated · 封装：LSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 100 %、电流传输比（最大值） 200 %、正向电流（If） 10 mA，采用 LSOP-4 封装。DPC1013S-TR-V
Diodes Incorporated · 封装：LSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 100 %、电流传输比（最大值） 200 %、正向电流（If） 10 mA，采用 LSOP-4 封装。140108146000
Wurth Elektronik · 封装：LSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 130 %、电流传输比（最大值） 260 %、正向电流（If） 60 mA，采用 LSOP-4 封装。140109146000
Wurth Elektronik · 封装：LSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 200 %、电流传输比（最大值） 400 %、正向电流（If） 60 mA，采用 LSOP-4 封装。VOT8026AB-T
Vishay · 封装：SMD-6
主要参数包括通道数 1 个通道、断态输出电压（VDRM） 800 V、最大连续输出电流 100 mA、输出类型 PhotoTriac、过零电路 With Zero-Crossing Circuit、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-6 封装。VOT8025AB-T
Vishay · 封装：SMD-6
主要参数包括通道数 1 个通道、断态输出电压（VDRM） 800 V、最大连续输出电流 100 mA、输出类型 PhotoTriac、过零电路 With Zero-Crossing Circuit、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-6 封装。VOT8121AM-T
Vishay · 封装：SOP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、断态输出电压（VDRM） 800 V、最大连续输出电流 100 mA、输出类型 PhotoTriac、过零电路 Without Zero-Crossing Circuit、隔离电压 3750 Vrms，采用 SOP-4 封装。VOT8123AB-T
Vishay · 封装：SMD-6
主要参数包括通道数 1 个通道、断态输出电压（VDRM） 800 V、最大连续输出电流 100 mA、输出类型 PhotoTriac、过零电路 Without Zero-Crossing Circuit、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD-6 封装。VOT8121AB
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-4
主要参数包括通道数 2 个通道、断态输出电压（VDRM） 800 V、输出类型 PhotoTriac、过零电路 Without Zero-Crossing Circuit、隔离电压 5300 Vrms、正向电流（If） 50 mA，采用 SMD-4 封装。VOT8024AD
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-4
主要参数包括断态输出电压（VDRM） 800 V、输出类型 PhotoTriac、过零电路 With Zero-Crossing Circuit、隔离电压 5300 Vrms、正向电流（If） 50 mA、正向电压（Vf） 1.2 V，采用 DIP-4 封装。VOT8121AD
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-4
主要参数包括通道数 2 个通道、断态输出电压（VDRM） 800 V、输出类型 PhotoTriac、过零电路 Without Zero-Crossing Circuit、隔离电压 5300 Vrms、正向电流（If） 50 mA，采用 DIP-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。