CNY17-2S-TA
LITEON · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 60 mA、正向电压（Vf） 1.65 V、最大集电极－发射极电压 70 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录CNY17-2S-TA1
LITEON · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 60 mA、正向电压（Vf） 1.65 V、最大集电极－发射极电压 70 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。CNY17-3
LITEON · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 100 %、电流传输比（最大值） 200 %、正向电流（If） 60 mA，采用 PDIP-6 封装。CNY17-3M
LITEON · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 60 mA、正向电压（Vf） 1.65 V、最大集电极－发射极电压 70 V，采用 PDIP-6 封装。CNY17-4
LITEON · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 160 %、电流传输比（最大值） 320 %、正向电流（If） 60 mA，采用 PDIP-6 封装。CNY17-4M
LITEON · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 160 %、电流传输比（最大值） 320 %、正向电流（If） 60 mA，采用 PDIP-6 封装。CNY17-4S
LITEON · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 160 %、电流传输比（最大值） 320 %、正向电流（If） 60 mA，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。CNY17-4S-TA
LITEON · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 60 mA、正向电压（Vf） 1.65 V、最大集电极－发射极电压 70 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。CNY17-4S-TA1
LITEON · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 160 %、电流传输比（最大值） 320 %、正向电流（If） 60 mA，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。CNY17F-1
LITEON · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 40 %、电流传输比（最大值） 80 %、正向电流（If） 60 mA，采用 PDIP-6 封装。LTV-0213S-TA-PN
LITEON
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 TH。LTV-200
LITEON · 封装：SOP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 20 %、正向电流（If） 30 mA、正向电压（Vf） 1.55 V，采用 SOP-8 封装。LTV-205
LITEON · 封装：SOP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 40 %、电流传输比（最大值） 80 %、正向电流（If） 30 mA，采用 SOP-8 封装。LTV-206
LITEON · 封装：SOP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 63 %、电流传输比（最大值） 125 %、正向电流（If） 30 mA，采用 SOP-8 封装。LTV-207
LITEON · 封装：SOP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 100 %、电流传输比（最大值） 200 %、正向电流（If） 30 mA，采用 SOP-8 封装。LTV-208
LITEON · 封装：SOP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 160 %、电流传输比（最大值） 320 %、正向电流（If） 30 mA，采用 SOP-8 封装。LTV-214
LITEON · 封装：SSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 20 %、电流传输比（最大值） 400 %、正向电流（If） 50 mA，采用 SSOP-4 封装。LTV-214-AK-G
LITEON · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 20 %、电流传输比（最大值） 400 %、正向电流（If） 50 mA，采用 SMD-4 封装。LTV-214-B-G
LITEON · 封装：SOIC-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 20 %、电流传输比（最大值） 400 %、正向电流（If） 50 mA，采用 SOIC-4 封装。LTV-217-A-G
LITEON · 封装：SSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 50 %、电流传输比（最大值） 600 %、正向电流（If） 20 mA，采用 SSOP-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。