PS2381-1Y-V-F3-AX/Q
Renesas Electronics · 封装：LSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 50 %、电流传输比（最大值） 400 %、正向电流（If） 60 mA，采用 LSOP-4 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录PS2381-1Y-V-F3-AX/W
Renesas Electronics · 封装：LSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 130 %、电流传输比（最大值） 260 %、正向电流（If） 60 mA，采用 LSOP-4 封装。PS2381-1Y-V-F3-AX/WR
Renesas Electronics · 封装：LSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 130 %、电流传输比（最大值） 260 %、正向电流（If） 60 mA，采用 LSOP-4 封装。ISOM8110DFSRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 80 %、电流传输比（最大值） 180 %、正向电流（If） 20 mA，采用 SOIC-4 封装。ISOM8110DFSR
Texas Instruments · 封装：SOIC-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 55 %、电流传输比（最大值） 195 %、正向电流（If） 50 mA，采用 SOIC-4 封装。APC-817C1-SL
American Bright LED · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 60 mA、正向电压（Vf） 1.24 V、最大集电极－发射极电压 35 V，采用 SMD-4 封装。APC-817A1-SL
American Bright LED · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.24 V、最大集电极－发射极电压 35 V，采用 SMD-4 封装。APC-817B1-SL
American Bright LED · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最大值） 260 %、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.24 V，采用 SMD-4 封装。APC-817D1-SL
American Bright LED · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.24 V、最大集电极－发射极电压 35 V，采用 SMD-4 封装。BPC-1008
American Bright LED · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 50 mA、正向电压（Vf） 1.25 V、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA，采用 SMD-4 封装。BPC-1009
American Bright LED · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 50 mA、正向电压（Vf） 1.25 V、最大集电极－发射极电压 80 V，采用 SMD-4 封装。BPC-817
American Bright LED · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 20 mA、正向电压（Vf） 1.2 V、最大集电极－发射极电压 35 V，采用 DIP-4 封装。BPC-817S
American Bright LED · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 20 mA、正向电压（Vf） 1.2 V、最大集电极－发射极电压 35 V，采用 SMD-4 封装。CNY17-1
LITEON · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 40 %、电流传输比（最大值） 80 %、正向电流（If） 60 mA，采用 PDIP-6 封装。CNY17-1M
LITEON · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 40 %、电流传输比（最大值） 80 %、正向电流（If） 60 mA，采用 PDIP-6 封装。CNY17-1S
LITEON · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 40 %、电流传输比（最大值） 80 %、正向电流（If） 60 mA，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。CNY17-1S-TA1
LITEON · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 40 %、电流传输比（最大值） 80 %、正向电流（If） 60 mA，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。CNY17-2
LITEON · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 63 %、电流传输比（最大值） 125 %、正向电流（If） 60 mA，采用 PDIP-6 封装。CNY17-2M
LITEON · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 63 %、电流传输比（最大值） 125 %、正向电流（If） 60 mA，采用 PDIP-6 封装。CNY17-2S
LITEON
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 63 %、电流传输比（最大值） 125 %、正向电流（If） 60 mA。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。