140356145300
Wurth Elektronik · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 200 %、电流传输比（最大值） 400 %、正向电流（If） 60 mA，采用 SOP-4 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录140356145400
Wurth Elektronik · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 300 %、电流传输比（最大值） 600 %、正向电流（If） 60 mA，采用 SOP-4 封装。140357145000
Wurth Elektronik · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 50 %、电流传输比（最大值） 600 %、正向电流（If） 60 mA，采用 SOP-4 封装。140357145100
Wurth Elektronik · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 80 %、电流传输比（最大值） 160 %、正向电流（If） 60 mA，采用 SOP-4 封装。140357145200
Wurth Elektronik · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 130 %、电流传输比（最大值） 260 %、正向电流（If） 60 mA，采用 SOP-4 封装。140357145300
Wurth Elektronik · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 200 %、电流传输比（最大值） 400 %、正向电流（If） 60 mA，采用 SOP-4 封装。PS2381-1Y-AX/L
Renesas Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 日本。PS2381-1Y-AX/M
Renesas Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 日本。PS2381-1Y-AX/W
Renesas Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 日本。PS2381-1Y-F3-AX/L
Renesas Electronics · 封装：LSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 100 %、电流传输比（最大值） 300 %、正向电流（If） 60 mA，采用 LSOP-4 封装。PS2381-1Y-F3-AX/LR2
Renesas Electronics · 封装：LSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 100 %、电流传输比（最大值） 300 %、正向电流（If） 60 mA，采用 LSOP-4 封装。PS2381-1Y-F3-AX/MR
Renesas Electronics · 封装：LSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 50 %、电流传输比（最大值） 150 %、正向电流（If） 60 mA，采用 LSOP-4 封装。PS2381-1Y-F3-AX/W
Renesas Electronics · 封装：LSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 130 %、电流传输比（最大值） 260 %、正向电流（If） 60 mA，采用 LSOP-4 封装。PS2381-1Y-V-AX
Renesas Electronics · 封装：LSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 5 mA、正向电压（Vf） 1.1 V、最大集电极－发射极电压 80 V，采用 LSOP-4 封装。PS2381-1Y-V-AX/L
Renesas Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 日本。PS2381-1Y-V-AX/M
Renesas Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 日本。PS2381-1Y-V-AX/W
Renesas Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 日本。PS2381-1Y-V-F3-AX/L
Renesas Electronics · 封装：LSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 100 %、电流传输比（最大值） 300 %、正向电流（If） 60 mA，采用 LSOP-4 封装。PS2381-1Y-V-F3-AX/LR
Renesas Electronics · 封装：LSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 100 %、电流传输比（最大值） 300 %、正向电流（If） 60 mA，采用 LSOP-4 封装。PS2381-1Y-V-F3-AX/MR
Renesas Electronics · 封装：LSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 50 %、电流传输比（最大值） 150 %、正向电流（If） 60 mA，采用 LSOP-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。