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隔离与光耦

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DPC1018S-TR-V

Diodes Incorporated · 封装：LSOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 130 %、电流传输比（最大值） 260 %、正向电流（If） 5 mA，采用 LSOP-4 封装。
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DPC1019S-TR

Diodes Incorporated · 封装：LSOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 200 %、电流传输比（最大值） 400 %、正向电流（If） 5 mA，采用 LSOP-4 封装。
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DPC1019S-TR-V

Diodes Incorporated · 封装：LSOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 200 %、电流传输比（最大值） 400 %、正向电流（If） 5 mA，采用 LSOP-4 封装。
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140100146000

Wurth Elektronik · 封装：LSOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 300 %、电流传输比（最大值） 600 %、正向电流（If） 60 mA，采用 LSOP-4 封装。
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140105146000

Wurth Elektronik · 封装：LSOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 50 %、电流传输比（最大值） 150 %、正向电流（If） 60 mA，采用 LSOP-4 封装。
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140106146000

Wurth Elektronik · 封装：LSOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 100 %、电流传输比（最大值） 300 %、正向电流（If） 60 mA，采用 LSOP-4 封装。
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140107146000

Wurth Elektronik · 封装：LSOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 80 %、电流传输比（最大值） 160 %、正向电流（If） 60 mA，采用 LSOP-4 封装。
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140214247000

Wurth Elektronik · 封装：SSOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 20 %、电流传输比（最大值） 400 %、正向电压（Vf） 1.24 V，采用 SSOP-4 封装。
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140214247100

Wurth Elektronik · 封装：SSOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 50 %、电流传输比（最大值） 150 %、正向电流（If） 60 mA，采用 SSOP-4 封装。
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140214247200

Wurth Elektronik · 封装：SSOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 80 %、电流传输比（最大值） 400 %、正向电流（If） 60 mA，采用 SSOP-4 封装。
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140217147000

Wurth Elektronik · 封装：SSOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 50 %、电流传输比（最大值） 600 %、正向电流（If） 60 mA，采用 SSOP-4 封装。
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140217147100

Wurth Elektronik · 封装：SSOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 80 %、电流传输比（最大值） 160 %、正向电流（If） 60 mA，采用 SSOP-4 封装。
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140217147200

Wurth Elektronik · 封装：SSOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 130 %、电流传输比（最大值） 260 %、正向电流（If） 60 mA，采用 SSOP-4 封装。
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140217147300

Wurth Elektronik · 封装：SSOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 200 %、电流传输比（最大值） 400 %、正向电流（If） 60 mA，采用 SSOP-4 封装。
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140217147400

Wurth Elektronik · 封装：SSOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 300 %、电流传输比（最大值） 600 %、正向电流（If） 60 mA，采用 SSOP-4 封装。
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140354245000

Wurth Elektronik · 封装：SOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 20 %、电流传输比（最大值） 300 %、正向电流（If） 60 mA，采用 SOP-4 封装。
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140354245100

Wurth Elektronik · 封装：SOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 50 %、电流传输比（最大值） 150 %、正向电压（Vf） 1.24 V，采用 SOP-4 封装。
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140356145000

Wurth Elektronik · 封装：SOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 50 %、电流传输比（最大值） 600 %、正向电流（If） 60 mA，采用 SOP-4 封装。
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140356145100

Wurth Elektronik · 封装：SOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 80 %、电流传输比（最大值） 160 %、正向电流（If） 60 mA，采用 SOP-4 封装。
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140356145200

Wurth Elektronik · 封装：SOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、电流传输比（最小值） 130 %、电流传输比（最大值） 260 %、正向电流（If） 60 mA，采用 SOP-4 封装。
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