VOWA618A-3X018T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5300 Vrms、电流传输比（最小值） 100 %、电流传输比（最大值） 200 %、正向电流（If） 50 mA，采用 SMD-8 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录VOWA617A-X018T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5300 Vrms、电流传输比（最小值） 50 %、电流传输比（最大值） 600 %、正向电流（If） 50 mA，采用 SMD-8 封装。VOWA618A-X018T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5300 Vrms、电流传输比（最小值） 50 %、电流传输比（最大值） 600 %、正向电流（If） 50 mA，采用 SMD-8 封装。VOWA617A-9X018T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5300 Vrms、电流传输比（最小值） 200 %、电流传输比（最大值） 400 %、正向电流（If） 50 mA，采用 SMD-8 封装。VOWA617A-4X018T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5300 Vrms、电流传输比（最小值） 160 %、电流传输比（最大值） 320 %、正向电流（If） 50 mA，采用 SMD-8 封装。VOWA617A-3X018T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5300 Vrms、电流传输比（最小值） 100 %、电流传输比（最大值） 200 %、正向电流（If） 50 mA，采用 SMD-8 封装。PC12310NSZ1B
Sharp Microelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、原产国家或地区 日本。PC12311NSZ1B
Sharp Microelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、原产国家或地区 日本。PC123Y23FP9F
Sharp Microelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、原产国家或地区 中国。PC123Y23FZ9F
Sharp Microelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、原产国家或地区 中国。522-03-I
Standex Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 德国、型号别名 5252203000。525-03-0-I
Standex Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 4000 Vrms、正向电流（If） 100 mA、正向电压（Vf） 1.5 V、最大集电极电流 50 mA。530-03-1-10
Standex Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 德国、型号别名 5253003110。535-04-0-I
Standex Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 4000 Vrms、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 32 V、最小工作温度 - 40 C。567-70-1-I
Standex Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 德国、型号别名 5217670010。3N245
Optek / TT Electronics · 封装：TO-72-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 1000 Vrms、电流传输比（最小值） 60 %、正向电流（If） 3 mA、正向电压（Vf） 1.3 V，采用 TO-72-4 封装。3C91C
Optek / TT Electronics · 封装：TO-72-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 1000 Vrms、电流传输比（最小值） 30 %、电流传输比（最大值） 200 %、正向电流（If） 10 mA，采用 TO-72-4 封装。3C92C
Optek / TT Electronics · 封装：TO-72-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 1000 Vrms、电流传输比（最小值） 30 %、电流传输比（最大值） 200 %、正向电流（If） 10 mA，采用 TO-72-4 封装。3C92CTX
Optek / TT Electronics · 封装：TO-72-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、隔离电压 1000 Vrms、电流传输比（最小值） 0.3 %、电流传输比（最大值） 2 %、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 TO-72-4 封装。3N243
Optek / TT Electronics · 封装：TO-72-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 1000 Vrms、正向电流（If） 3 mA、正向电压（Vf） 1.3 V、最大集电极－发射极电压 30 V，采用 TO-72-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。