FODM121AR4
ON Semiconductor
该型号为晶体管。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录VO618A-4X017T
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管。AB354NT
Kingbright
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、湿敏性 是。AB356N2T
Kingbright
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、湿敏性 是。AB356N6T
Kingbright
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、湿敏性 是。AB357NT
Kingbright
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、湿敏性 是。AB814B
Kingbright
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。AB814B-B
Kingbright
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、湿敏性 是。AB817A-B
Kingbright
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、湿敏性 是。AB817B-B
Kingbright
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、湿敏性 是。AB817D-B
Kingbright
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、湿敏性 是。4N25
LITEON · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms、电流传输比（最小值） 20 %、正向电流（If） 80 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 封装。4N25M
LITEON · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms、电流传输比（最小值） 20 %、正向电流（If） 80 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 封装。4N26S-TA1
LITEON · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 1500 Vrms、电流传输比（最小值） 20 %、正向电流（If） 80 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。4N25S
LITEON · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms、电流传输比（最小值） 20 %、正向电流（If） 80 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。4N25S-TA
LITEON · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.5 V、最大集电极－发射极电压 30 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。4N25S-TA1
LITEON · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms、电流传输比（最小值） 20 %、正向电流（If） 80 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。4N25S-TA1-AD
LITEON · 封装：SMD-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms、电流传输比（最小值） 20 %、正向电流（If） 80 mA、正向电压（Vf） 1.2 V，采用 SMD-6 封装。4N26
LITEON · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 1500 Vrms、电流传输比（最小值） 20 %、正向电流（If） 80 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 封装。4N26M
LITEON · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 1500 Vrms、电流传输比（最小值） 20 %、正向电流（If） 80 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。