PS2533L-1-F3-K-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Photodarlington、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 350 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录PS2913-1-F3-K-AX
Renesas Electronics
该型号为晶体管。PS2913-1-V-F3-K-AX
Renesas Electronics · 封装：Miniflat-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 1 mA、最大集电极－发射极电压 120 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 Miniflat-4 封装。PS2911-1-F3-L-AX
Renesas Electronics · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 40 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SMD-4 封装。JANTXV4N23A
Optek / TT Electronics · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。PS2811-1-F3-L-A
Renesas Electronics · 封装：SSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 40 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SSOP-4 封装。JANTX4N24U
Optek / TT Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 10 mA、隔离电压 1000 Vrms。JANTXV4N48
Optek / TT Electronics · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 1 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。JANTXV4N49
Optek / TT Electronics · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 1 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。JANTX4N47
Optek / TT Electronics · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 1 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。JANTXV4N49U
Optek / TT Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 45 V、最大集电极电流 10 mA、隔离电压 1000 Vrms。JANTX4N24
Optek / TT Electronics · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。JANTX4N23A
Optek / TT Electronics · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。JANTX4N49U
Optek / TT Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 45 V、最大集电极电流 10 mA、隔离电压 1000 Vrms。JANTX4N22
Optek / TT Electronics · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。TLP620(GB,F)
Toshiba · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 16 mA、最大集电极－发射极电压 55 V、最大集电极电流 10 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-4 封装。PS2703-1-F4-K-A
Renesas Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 120 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 3750 Vrms。TLP781(GB-LF6,F)
Toshiba · 封装：SMD/SMT
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD/SMT 封装。ELQ3H7(TA)
Everlight
该型号为晶体管。TLP626(BV,F)
Toshiba · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 55 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。