JAN4N22U
Optek / TT Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 2.5 mA、隔离电压 1000 Vrms。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录JAN4N49A
Optek / TT Electronics · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 1 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。JANTXV4N22A
Optek / TT Electronics · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。JANTX4N47A
Optek / TT Electronics · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 1 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。JANTX4N47U
Optek / TT Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 45 V、最大集电极电流 0.7 mA、隔离电压 1000 Vrms。JANTXV4N22
Optek / TT Electronics · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。JAN4N24A
Optek / TT Electronics · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。JANTX4N23
Optek / TT Electronics · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。JAN4N22
Optek / TT Electronics · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。JANTX4N22U
Optek / TT Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 2.5 mA、隔离电压 1000 Vrms。PS2933-1-V-F3-AX
Renesas Electronics · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 350 V、最大集电极电流 60 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SMD-4 封装。TLP627-4F
Toshiba · 封装：PDIP-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 300 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-16 封装。CNY17F-3
Everlight · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 封装。EL817-G
Everlight · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 封装。EL817(D)
Everlight · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 封装。PS2502-1-A
CEL · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 80 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 200 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 封装。PS2801-4-F3-A
CEL · 封装：SSOP-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SSOP-16 封装。TPC817D
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。TPC816S1B
Taiwan Semiconductor · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SOP-4 封装。PS2801-4-A
CEL · 封装：SSOP-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SSOP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。