JANTXV4N48A
Optek / TT Electronics · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 1 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录JANTXV4N47A
Optek / TT Electronics · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 1 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。JAN4N47
Optek / TT Electronics · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 1 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。JAN4N23
Optek / TT Electronics · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。JAN4N48A
Optek / TT Electronics · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 1 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。PS2561L-1-V-F3-W-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。PS2561L-1-V-F3-L-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。SFH1617A-3X016
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-4 封装。TLP781(F)
Toshiba · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-4 封装。EL3H7-G
Everlight
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms。4N24
Optek / TT Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 1000 Vrms。TLP127TPRUF
Toshiba · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 300 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SOP-4 封装。TLP627(F)
Toshiba · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 300 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-4 封装。TLP620-4(F)
Toshiba · 封装：PDIP-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 16 mA、最大集电极－发射极电压 55 V、最大集电极电流 10 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-16 封装。JANTXV4N24U
Optek / TT Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 10 mA、隔离电压 1000 Vrms。JAN4N48
Optek / TT Electronics · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 1 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。OPI1280-018
Optek / TT Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 33 V、隔离电压 15000 VDC、正向电压（Vf） 2.3 V。JANTXV4N23
Optek / TT Electronics · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。JANTX4N48U
Optek / TT Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 45 V、最大集电极电流 5 mA、隔离电压 1000 Vrms。JAN4N47U
Optek / TT Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 45 V、最大集电极电流 0.7 mA、隔离电压 1000 Vrms。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。