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隔离与光耦

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VO615A-4X016

Vishay Semiconductors

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms。

VOM618A-5T

Vishay Semiconductors · 封装:SOP-4 Mini-Flat

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、最大集电极-发射极电压 80 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极-发射极饱和电压 0.4 V,采用 SOP-4 Mini-Flat 封装。

VO615A-5X016

Vishay Semiconductors

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms。

LTV-725VS

Lite-On · 封装:PDIP-6 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流(If) 50 mA、最大集电极-发射极电压 300 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。

VO615A-X006

Vishay Semiconductors

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms。

VO615A-6X006

Vishay Semiconductors

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms。

VO615A-1X006

Vishay Semiconductors

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms。

VO615A-5X006

Vishay Semiconductors

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms。

ILD2-X016

Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-8

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms、最大集电极-发射极饱和电压 0.4 V,采用 PDIP-8 封装。

PS2561AL-1-F3-L-A

Renesas Electronics · 封装:DIP-4 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 10 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 DIP-4 Gull Wing 封装。

PS2561L-1-F3-H-A

Renesas Electronics · 封装:DIP-4 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 10 mA、最大集电极-发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 DIP-4 Gull Wing 封装。

PS2561AL-1-V-F3-L-A

Renesas Electronics · 封装:DIP-4 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 10 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 DIP-4 Gull Wing 封装。

PS2561AL-1-F3-W-A

Renesas Electronics · 封装:DIP-4 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 10 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 DIP-4 Gull Wing 封装。

PS2561AL-1-F3-Q-A

Renesas Electronics · 封装:DIP-4 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 10 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 DIP-4 Gull Wing 封装。

PS2561AL-1-F3-H-A

Renesas Electronics · 封装:DIP-4 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 10 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 DIP-4 Gull Wing 封装。

PS2565L-1-F3-K-A

Renesas Electronics

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 80 mA、最大集电极-发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms。

PS2561L-1-F3-M-A

Renesas Electronics · 封装:DIP-4 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 10 mA、最大集电极-发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 DIP-4 Gull Wing 封装。

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