VO615A-4X016
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms。Vishay Semiconductors
该型号为晶体管。Vishay Semiconductors · 封装:SOP-4 Mini-Flat
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、最大集电极-发射极电压 80 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极-发射极饱和电压 0.4 V,采用 SOP-4 Mini-Flat 封装。Vishay Semiconductors
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms。Vishay Semiconductors
该型号为晶体管。Vishay Semiconductors
该型号为晶体管。Lite-On · 封装:PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流(If) 50 mA、最大集电极-发射极电压 300 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。Vishay Semiconductors
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms。Vishay Semiconductors
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms。Vishay Semiconductors
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms。Vishay Semiconductors
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms。Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-8
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms、最大集电极-发射极饱和电压 0.4 V,采用 PDIP-8 封装。Renesas Electronics · 封装:DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 10 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 DIP-4 Gull Wing 封装。Renesas Electronics · 封装:DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 10 mA、最大集电极-发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 DIP-4 Gull Wing 封装。Renesas Electronics · 封装:DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 10 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 DIP-4 Gull Wing 封装。Renesas Electronics · 封装:DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 10 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 DIP-4 Gull Wing 封装。Renesas Electronics · 封装:DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 10 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 DIP-4 Gull Wing 封装。Renesas Electronics · 封装:DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 10 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 DIP-4 Gull Wing 封装。Renesas Electronics
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 80 mA、最大集电极-发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms。Renesas Electronics · 封装:DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 10 mA、最大集电极-发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 DIP-4 Gull Wing 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。