ILQ55-X007
Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-16 Gull Wing
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 55 V、最大集电极电流 125 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 PDIP-16 Gull Wing 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-16 Gull Wing
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 55 V、最大集电极电流 125 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 PDIP-16 Gull Wing 封装。Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-8 Gull Wing
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-16 Gull Wing
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 PDIP-16 Gull Wing 封装。Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-4
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 55 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 PDIP-4 封装。Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-16
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 PDIP-16 封装。Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-16 Gull Wing
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 PDIP-16 Gull Wing 封装。Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-16
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 PDIP-16 封装。Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-8
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms、最大集电极-发射极饱和电压 0.4 V,采用 PDIP-8 封装。IXYS Integrated Circuits · 封装:SOIC-16
该型号为晶体管,主要参数包括输出类型 MOSFET、耗散功率(Pd) 1 W、高度 2.108 mm、长度 10.16 mm、宽度 7.493 mm、商品名称 Clare,采用 SOIC-16 封装。Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 PDIP-4 Gull Wing 封装。Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-8 Gull Wing
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-6
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 50 mA、最大集电极-发射极电压 55 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 PDIP-6 封装。Vishay Semiconductors · 封装:DIP-4
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 DIP-4 封装。Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-16 Gull Wing
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 PDIP-16 Gull Wing 封装。Sharp Microelectronics · 封装:DIP-4
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流(If) 20 mA、最大集电极-发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 DIP-4 封装。Broadcom / Avago
该型号为晶体管。Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-8
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 PDIP-8 封装。Vishay Semiconductors · 封装:DIP-16
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 DIP-16 封装。Vishay · 封装:PDIP-8 Gull Wing
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 20 V、隔离电压 5300 Vrms、最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V,采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。Vishay Semiconductors · 封装:DIP-16
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极电流 125 mA、隔离电压 5300 Vrms、最大集电极-发射极饱和电压 1 V,采用 DIP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。