ChipSourceHub 美芯科技

隔离与光耦

按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。

型号列表

14,738 条型号记录
每页 20 条

ILQ55-X007

Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-16 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 55 V、最大集电极电流 125 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 PDIP-16 Gull Wing 封装。

ILD5-X009T

Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-8 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。

ILQ620-X019

Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-16 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 PDIP-16 Gull Wing 封装。

SFH618A-4X016

Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-4

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 55 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 PDIP-4 封装。

ILQ615-3X001

Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-16

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 PDIP-16 封装。

ILQ2-X017

Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-16 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 PDIP-16 Gull Wing 封装。

ILQ620-X001

Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-16

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 PDIP-16 封装。

ILD1-X001

Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-8

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms、最大集电极-发射极饱和电压 0.4 V,采用 PDIP-8 封装。

ITC100PTR

IXYS Integrated Circuits · 封装:SOIC-16

该型号为晶体管,主要参数包括输出类型 MOSFET、耗散功率(Pd) 1 W、高度 2.108 mm、长度 10.16 mm、宽度 7.493 mm、商品名称 Clare,采用 SOIC-16 封装。

SFH615AA-X017

Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-4 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 PDIP-4 Gull Wing 封装。

ILD610-2X007T

Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-8 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。

SFH608-3X006

Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-6

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 50 mA、最大集电极-发射极电压 55 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 PDIP-6 封装。

SFH615AGR-X001

Vishay Semiconductors · 封装:DIP-4

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 DIP-4 封装。

ILQ2-X017T

Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-16 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 PDIP-16 Gull Wing 封装。

PC123X5YFZ1B

Sharp Microelectronics · 封装:DIP-4

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流(If) 20 mA、最大集电极-发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 DIP-4 封装。

ILD615-2X016

Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-8

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 PDIP-8 封装。

ILQ621-X006

Vishay Semiconductors · 封装:DIP-16

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 DIP-16 封装。

ILD74-X009

Vishay · 封装:PDIP-8 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 20 V、隔离电压 5300 Vrms、最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V,采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。

ILQ1-X006

Vishay Semiconductors · 封装:DIP-16

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极电流 125 mA、隔离电压 5300 Vrms、最大集电极-发射极饱和电压 1 V,采用 DIP-16 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

芯片型号库|技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技