PS2911-1-F3-M-AX
CEL
该型号为晶体管。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录PS2811-1-M-A
Renesas Electronics · 封装：SSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 40 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SSOP-4 封装。PC3H7DJ0001H
Sharp Microelectronics · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SMD-4 封装。PS2805C-4-F3-A
Renesas Electronics · 封装：SSOP-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SSOP-16 封装。PS2802-4-F3-A
Renesas Electronics · 封装：SSOP-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、隔离电压 2500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 SSOP-16 封装。PS2841-4B-AX
Renesas Electronics · 封装：SOP-12
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 1 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 20 mA、隔离电压 1500 Vrms，采用 SOP-12 封装。PS2801C-1-P-A
CEL
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms、单件重量 0.001814 oz。PS2811-1-A
Renesas Electronics · 封装：SSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 40 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SSOP-4 封装。PS2911-1-F3-AX
CEL · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，采用 SMD-4 封装。PS2811-4-F3-A
CEL
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 40 mA、隔离电压 2500 Vrms。PS2805-1-F3-A
CEL · 封装：SSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SSOP-4 封装。PS2805C-1-F3-A
CEL · 封装：SSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、隔离电压 2500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SSOP-4 封装。CNY17-3M
Lite-On · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 封装。PS2801C-4-A
CEL · 封装：SSOP-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、隔离电压 2500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SSOP-16 封装。TCLT1115
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管。IL755-1X007T
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管。SFH6186-5X001
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 55 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-4 封装。SFH615AA-X006
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-4 封装。LTV-829
Lite-On · 封装：PDIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-8 封装。PC123X1YIP1B
Sharp Microelectronics · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。