TCET1105G
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-4 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录VO615A-8X008T
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管。OPIA4010ATU
Optek / TT Electronics · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 60 V、隔离电压 5000 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 1.5 V，采用 SMD-4 封装。4N23A
Optek / TT Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 1000 Vrms。PS2833-4-F3-A
Renesas Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 350 V、最大集电极电流 60 mA、隔离电压 2500 Vrms。HCC242
Welwyn Components / TT Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 40 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 Vrms。4N22A
Optek / TT Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 1000 Vrms。TLP185(TPR,E)
Toshiba
该型号为晶体管。TLP184(TPL,E)
Toshiba · 封装：SOIC-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 16 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SOIC-6 封装。535-04-0-I
MEDER electronic (Standex)
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Transistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 32 VDC、隔离电压 4000 Vrms、最小工作温度 - 40 C。TPC817MD
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。TPC817MA
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。TPC816MC C9G
Taiwan Semiconductor · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 封装。TPC817MD C9G
Taiwan Semiconductor · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 封装。TPC816D C9G
Taiwan Semiconductor · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 封装。TPC817S1C
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。HCC242TX
Welwyn Components / TT Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 40 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 Vrms。TPC817MC
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。OPI1270-026
Optek / TT Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、隔离电压 15000 VDC、正向电压（Vf） 2.3 V、反向电压（Vr） 3 V。TPC817MB
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。