PS2535L-1-V-F3-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Photodarlington、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 350 V、最大集电极电流 120 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录PS2861B-1Y-A
Renesas Electronics · 封装：SSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SSOP-4 封装。PS2815-4-V-F3-A
Renesas Electronics · 封装：SSOP-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 40 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SSOP-16 封装。ACPL-827-W0CE
Broadcom / Avago · 封装：PDIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-8 封装。ACPL-827-W00E
Broadcom / Avago · 封装：PDIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-8 封装。SFH1690BT-X001
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管。PS2561BL1-1-W-A
Renesas Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms。PS2381-1Y-V-W-AX
Renesas Electronics · 封装：LSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 LSOP-4 封装。PS2702-1-F3-L-A
Renesas Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 200 mA、隔离电压 3750 Vrms。PS2705-1-M-A
Renesas Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 80 mA、隔离电压 3750 Vrms。ACPL-827-36CE
Broadcom / Avago · 封装：PDIP-8 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。VO617A-4X006
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 DIP-4 封装。PS2701A-1-V-F3-P-A
Renesas Electronics · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SOP-4 封装。PS2561BL1-1-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。TLP183(GRH,E
Toshiba · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SOP-4 封装。PS2565L-1Y-V-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。SFH615A-1X008T
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管。TLP290(BLL-TP,SE
Toshiba
该型号为晶体管。ILD1-X007T
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-8 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 50 V、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。SFH600-3X006
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。