PS2703-1-F3-M-A
Renesas Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 120 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 3750 Vrms。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录PS2703-1-F3-L-A
Renesas Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 120 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 3750 Vrms。PS2561DL1-1Y-N-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。VOM618A-1X001T
Vishay Semiconductors · 封装：SOP-4 Mini-Flat
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SOP-4 Mini-Flat 封装。ACNT-H511-500E
Broadcom · 封装：SO-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Transistor、正向电流（If） 12 mA、隔离电压 7500 Vrms、正向电压（Vf） 1.45 V、耗散功率（Pd） 100 mW，采用 SO-8 封装。TLP385(D4GL-TL,E
Toshiba · 封装：SO-6-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SO-6-4 封装。PS2561DL-1Y-F3-H-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。LTV-851S
Lite-On · 封装：PDIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 300 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-4 Gull Wing 封装。LTV-844M
Lite-On · 封装：DIP-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-16 封装。PS2802-4-V-F3-A
Renesas Electronics · 封装：SSOP-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Photodarlington、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SSOP-16 封装。VO615A-3X006
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms。VO208AT
Vishay Semiconductors · 封装：$0.945
该型号为晶体管，采用 $0.945 封装。PS2705A-1-F3-M-A
Renesas Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms。PS2561AL2-1-F3-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。PS2561DL2-1Y-V-H-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。PS2501-1-Q-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 封装。LTV-8441S
Lite-On · 封装：PDIP-16 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 80 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-16 Gull Wing 封装。PS2561D-1Y-V-L-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 封装。ILD615-4X009
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-8 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。PS2501A-1-Q-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 30 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。