PS2561DL-1Y-V-H-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。隔离与光耦
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
14,738 条型号记录PS2561DL-1Y-V-F3-H-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。PS2561DL-1Y-V-F3-W-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。PS2561DL2-1Y-L-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。PS2581AL2-F3-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。PS2561DL2-1Y-V-W-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。PS2561D-1Y-V-H-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 封装。PS2561DL-1Y-F3-Q-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。TLP184(Y-TPL,SE
Toshiba · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SOP-4 封装。PS2561AL1-1-H-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。PS2561DL1-1Y-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 封装。PS2915-1-V-F3-AX
Renesas Electronics · 封装：Miniflat-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 1 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 40 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 Miniflat-4 封装。PS2806-1-A
Renesas Electronics · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Photodarlington、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 90 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SOP-4 封装。ILD2-X017
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-8 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。PS2533L-1-V-F3-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Photodarlington、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 350 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。PS2802-1-K-A
Renesas Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、隔离电压 2500 Vrms。PS2733-1-V-F3-A
Renesas Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms。PS2565L-1Y-V-F3-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。PS2861B-1Y-V-F3-L-A
Renesas Electronics · 封装：SSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SSOP-4 封装。PS2565L2-1Y-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。