HCPL-814-W00E
Broadcom / Avago · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-4 封装。隔离与光耦
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
14,738 条型号记录LTV-725VS-TA
Lite-On · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 300 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。CNY17-1-W60E
Broadcom / Avago · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 封装。4N35-560E
Broadcom / Avago · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 3550 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。LTV-702VS
Lite-On · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。LTV-825M
Lite-On · 封装：DIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 80 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-8 封装。LTV-825S-TA1
Lite-On · 封装：PDIP-8 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 80 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。LTV-8241S-TA
Lite-On · 封装：PDIP-8 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 80 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。LTV-715FS-TA
Lite-On · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 80 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。CNY17F-2S-TA
Lite-On · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。ITC117PLTR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-16
该型号为晶体管，主要参数包括输出类型 MOSFET、耗散功率（Pd） 1 W、高度 2.108 mm、长度 10.16 mm、宽度 7.493 mm、商品名称 Clare，采用 SOIC-16 封装。LTV-715FS-TA1
Lite-On · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 80 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。LDA200STR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SMD-DIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括输出类型 MOSFET、耗散功率（Pd） 800 mW、高度 3.302 mm、长度 9.652 mm、宽度 6.35 mm、商品名称 Clare，采用 SMD-DIP-8 封装。LDA213STR
IXYS Integrated Circuits
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photodarlington、隔离电压 3750 Vrms、商品名称 Clare。ILQ620-X019T
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-16 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-16 Gull Wing 封装。PS2711-1-V-F3-A
Renesas Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 40 mA、隔离电压 3750 Vrms。FOD2711ATV
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：MDIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 MDIP-8 封装。SFH615AY-X019T
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-4 Gull Wing 封装。PS2702-1-F3-K-A
Renesas Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 200 mA、隔离电压 3750 Vrms。PS2705A-1-V-F3-A
Renesas Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 30 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。