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隔离与光耦

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型号列表

14,738 条型号记录
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LTV-824S-TA

Lite-On · 封装:PDIP-8 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 50 mA、最大集电极-发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。

PC123X2YIP1B

Sharp Microelectronics · 封装:SMD-4

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流(If) 20 mA、最大集电极-发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 SMD-4 封装。

4N27S-TA1

Lite-On · 封装:PDIP-6 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 80 mA、最大集电极-发射极电压 30 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 1500 Vrms,采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。

PS2703-1-M-A

Renesas Electronics · 封装:SOP

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 50 mA、最大集电极-发射极电压 120 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 3750 Vrms,采用 SOP 封装。

PS2561BL-1-F3-A

Renesas Electronics · 封装:DIP-4 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 10 mA、最大集电极-发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 DIP-4 Gull Wing 封装。

PS2561AL2-1-A

Renesas Electronics · 封装:DIP-4 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 10 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 DIP-4 Gull Wing 封装。

HCPL-817-06BE

Broadcom / Avago · 封装:PDIP-4

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 50 mA、最大集电极-发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 PDIP-4 封装。

PS2561AL-1-V-F3-A

Renesas Electronics · 封装:DIP-4 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 10 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 DIP-4 Gull Wing 封装。

CNY17-2-360E

Broadcom / Avago · 封装:PDIP-6 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。

LTV-845M

Lite-On · 封装:DIP-16

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流(If) 20 mA、最大集电极-发射极电压 35 V、最大集电极电流 80 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 DIP-16 封装。

LTV-825S-TA

Lite-On · 封装:PDIP-8 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流(If) 50 mA、最大集电极-发射极电压 35 V、最大集电极电流 80 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。

4N28S-TA1

Lite-On · 封装:PDIP-6 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 10 mA、最大集电极-发射极电压 30 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 500 Vrms,采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。

CNY17-3-360E

Broadcom / Avago · 封装:PDIP-6 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。

H11D1-X009

Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-6 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 300 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。

PS2815-4-F3-A

Renesas Electronics · 封装:SSOP-16

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 5 mA、最大集电极-发射极电压 40 V、最大集电极电流 40 mA、隔离电压 2500 Vrms,采用 SSOP-16 封装。

FOD2743BV

ON Semiconductor / Fairchild · 封装:PDIP-8

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流(If) 20 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 PDIP-8 封装。

CNY17-1-300E

Broadcom / Avago · 封装:PDIP-6 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。

LTV-8241S-TA1

Lite-On · 封装:PDIP-8 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流(If) 50 mA、最大集电极-发射极电压 35 V、最大集电极电流 80 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。

PC123XNYIP1B

Sharp Microelectronics · 封装:SMD-4

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流(If) 20 mA、最大集电极-发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 SMD-4 封装。

LTV-715FM

Lite-On · 封装:PDIP-6

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流(If) 50 mA、最大集电极-发射极电压 35 V、最大集电极电流 80 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 PDIP-6 封装。

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