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隔离与光耦

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14,738 条型号记录
每页 20 条

TLP785(D4-GR,F

Toshiba · 封装：DIP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 16 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 10 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 封装。
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CNY17-2-300E

Broadcom / Avago · 封装：PDIP-6 Gull Wing

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。
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PS2805-4-A

Renesas Electronics · 封装：SSOP-16

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SSOP-16 封装。
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PS2801-4-A

Renesas Electronics · 封装：SSOP-16

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SSOP-16 封装。
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PS2801C-4-A

Renesas Electronics · 封装：SSOP-16

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 30 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SSOP-16 封装。
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PS2911-1-F3-AX

Renesas Electronics · 封装：SMD-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 40 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SMD-4 封装。
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PS2801-1-L-A

Renesas Electronics · 封装：SSOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SSOP-4 封装。
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PS2506-1-A

Renesas Electronics · 封装：DIP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 80 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 200 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 封装。
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PS2502-1-A

Renesas Electronics · 封装：DIP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 80 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 200 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 封装。
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PS2703-1-A

Renesas Electronics · 封装：SOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 120 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SOP-4 封装。
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PS2701-1-F3-A

Renesas Electronics · 封装：SOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 80 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SOP-4 封装。
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HMHA2801R2V

ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SMD-4 封装。
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4N27S

Lite-On · 封装：PDIP-6 Gull Wing

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 1500 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。
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PS2381-1Y-AX

Renesas Electronics · 封装：LSOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 1.5 A、最大集电极－发射极电压 80 V、隔离电压 5000 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 LSOP-4 封装。
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PS2501AL-1-F3-L-A

Renesas Electronics · 封装：DIP-4 Gull Wing

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 30 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。
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TLP385(GR-TPL,E

Toshiba · 封装：SO-6-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SO-6-4 封装。
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PS2502L-1-F3-A

CEL

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、隔离电压 5000 Vrms、单件重量 0.008536 oz。
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PS2561D-1Y-A

CEL

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、单件重量 0.009264 oz。
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PS2811-4-F3-A

Renesas Electronics · 封装：SSOP-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 40 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SSOP-4 封装。
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2905497

Phoenix Contact

该型号为晶体管，主要参数包括最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 70 C、高度 90 mm、宽度 17.7 mm、单件重量 2.186986 oz。
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