CPC1302G
IXYS Integrated Circuits
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、隔离电压 3750 Vrms、商品名称 Clare。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录VO615A-2X009T
Vishay Semiconductors · 封装：$0.11
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms，采用 $0.11 封装。PS2705A-1-A
Renesas Electronics
该型号为晶体管。VO615A-4X009T
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms。FOD817D3S
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD-4 封装。TLP293(BLL-TPL,E
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms。H11D1SM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 80 mA、最大集电极－发射极电压 300 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 7500 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。FODM217DR2
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SOP-4 封装。VO615A-6X017T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD-4 封装。TLP183(TPL,E
Toshiba · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SOP-4 封装。PS2702-1-A
Renesas Electronics · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 200 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SOP-4 封装。PS2501L-1-A
Renesas Electronics · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-4 封装。LTV-817C
Lite-On · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-4 封装。FOD817BSD
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD-4 封装。FOD814
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-4 封装。PS2806-1-F3-A
Renesas Electronics · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Photodarlington、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 90 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SOP-4 封装。SFH1690BT
Vishay Semiconductors · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SOP-4 封装。PS2503-1-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 80 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 封装。PS2565L-1-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 80 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 封装。PS2841-4A-AX
Renesas Electronics · 封装：SOP-12
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 1 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 20 mA、隔离电压 1500 Vrms，采用 SOP-12 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。