OPI1280-066
Optek / TT Electronics
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 20 mA、最大集电极-发射极电压 33 V、隔离电压 15000 VDC、正向电压(Vf) 2.3 V。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Optek / TT Electronics
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 20 mA、最大集电极-发射极电压 33 V、隔离电压 15000 VDC、正向电压(Vf) 2.3 V。Toshiba · 封装:SOP-4
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流(If) 50 mA、最大集电极-发射极电压 350 V、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极-发射极饱和电压 0.4 V,采用 SOP-4 封装。Optek / TT Electronics · 封装:TO-78-6
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 10 mA、最大集电极-发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC,采用 TO-78-6 封装。Optek / TT Electronics · 封装:TO-78-6
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 1 mA、最大集电极-发射极电压 40 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC,采用 TO-78-6 封装。Optek / TT Electronics
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流(If) 10 mA、最大集电极-发射极电压 45 V、最大集电极电流 10 mA、隔离电压 1000 Vrms。Optek / TT Electronics · 封装:TO-78-6
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 1 mA、最大集电极-发射极电压 40 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC,采用 TO-78-6 封装。Renesas Electronics
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 30 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 2500 Vrms。Everlight
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms。Renesas Electronics · 封装:DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流(If) 80 mA、最大集电极-发射极电压 40 V、最大集电极电流 200 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 DIP-4 Gull Wing 封装。Renesas Electronics · 封装:SSOP-16
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流(If) 50 mA、最大集电极-发射极电压 40 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 2500 Vrms,采用 SSOP-16 封装。Renesas Electronics · 封装:SSOP-16
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 5 mA、最大集电极-发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 2500 Vrms,采用 SSOP-16 封装。Renesas Electronics · 封装:DIP-16
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流(If) 80 mA、最大集电极-发射极电压 40 V、最大集电极电流 160 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 DIP-16 封装。Renesas Electronics · 封装:DIP-16 Gull Wing
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 10 mA、最大集电极-发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 DIP-16 Gull Wing 封装。Renesas Electronics · 封装:PDIP-16 Gull Wing
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 80 mA、最大集电极-发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 PDIP-16 Gull Wing 封装。Everlight
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、湿敏性 是、单件重量 0.128009 oz。Everlight
该型号为晶体管。Everlight · 封装:PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 50 mA、最大集电极-发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。Everlight
该型号为晶体管。Everlight
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms。Everlight
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。