TLP185(GB-TPR,E)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 16 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.3 V。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录JANTX4N49
Optek / TT Electronics · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 1 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。ILD5-X009
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-8 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。ILQ32-X001
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 125 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-16 封装。SFH618A-4X001
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 55 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-4 封装。TLP372(F)
Toshiba · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 300 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 封装。4N49U
Optek / TT Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 10 mA、隔离电压 1000 Vrms。4N22
Optek / TT Electronics · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。PS2561-1-V-W-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。PS2702-1-V-A
Renesas Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 200 mA、隔离电压 3750 Vrms。PS2701A-1Y-A
Renesas Electronics
该型号为晶体管。SFH615A-2X001
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-4 封装。VO615C-3X016
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管。VO615A-7X006
Vishay Semiconductors · 封装：$0.116
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms，采用 $0.116 封装。TCET1110
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-4 封装。TLP292-4(V4LATPE
Toshiba
该型号为晶体管。4N27S-TA
Lite-On · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 80 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 1500 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。ILD74-X001
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 20 V、隔离电压 5300 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 PDIP-8 封装。SFH615A-3X018
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-4 封装。TCLT1118
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。