4N48
Optek / TT Electronics · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 1 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录4N24A
Optek / TT Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 1000 Vrms。4N23
Optek / TT Electronics · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。4N24U
Optek / TT Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 1000 Vrms。4N47U
Optek / TT Electronics · 封装：SMD-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 45 V、隔离电压 1000 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SMD-6 封装。3N262
Welwyn Components / TT Electronics · 封装：TO-72-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 40 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-72-4 封装。4N49
Optek / TT Electronics · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 1 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。3N245
Welwyn Components / TT Electronics · 封装：TO-72-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 3 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-72-4 封装。3N244
Welwyn Components / TT Electronics · 封装：TO-72-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 3 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-72-4 封装。TLP184(TPR,E)
Toshiba · 封装：SOIC-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 16 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SOIC-6 封装。TLP184(E)
Toshiba · 封装：SOIC-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 16 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SOIC-6 封装。TLP184(GB-TPL,E)
Toshiba · 封装：SOIC-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 16 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SOIC-6 封装。TLP185(E)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 16 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.3 V。TLP185(GB-TPL,E)
Toshiba · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms，采用 SOP-4 封装。TLP185(GB,E)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 16 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.3 V。TLP184(GB,E)
Toshiba · 封装：SOIC-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 16 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SOIC-6 封装。TLP185(GR,E)
Toshiba · 封装：SO-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 16 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SO-6 封装。TLP185(BLL-TPR,E)
Toshiba
该型号为晶体管。FOD617C
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-4 封装。OPI1280-032
Optek / TT Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 33 V、隔离电压 15000 VDC、正向电压（Vf） 2.3 V。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。