SFH608-4X007
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 55 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-6 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录TLP293-4(V4,E
Toshiba · 封装：SO-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SO-16 封装。VOS628AT
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管。MOC8105
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-6 封装。VO615A-3X009T
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms。VO615A-8X001
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、单件重量 0.008818 oz。TCET1113G
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-4 封装。CNY17F-4X009
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD-6 封装。CNY17G-4
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 32 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 PDIP-6 封装。FOD2741ATV
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-8 封装。2905491
Phoenix Contact
该型号为晶体管，主要参数包括输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 7 mA、最大集电极电流 5 A、最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 60 C、高度 33 mm。VO617A-1
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 DIP-4 封装。TLP290(GR,SE
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.003527 oz。TLP292-4(V4-GB,E
Toshiba · 封装：SO-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SO-16 封装。SFH620A-3X016
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-4 封装。4N25-X007T
Vishay · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。TLP293-4(V4GBTRE
Toshiba · 封装：SO-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SO-16 封装。TLP385(BLL,E
Toshiba · 封装：SO-6-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SO-6-4 封装。SFH615AGR-X007T
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-4 Gull Wing 封装。VOS628A-2X001T
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。