TCLT1014
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录CNY17F4VM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 7500 Vrms，采用 PDIP-6 封装。VO615A-7X007T
Vishay Semiconductors · 封装：$0.146
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms，采用 $0.146 封装。CNY17F-3X009T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD-6 封装。VOS617A-2X001T
Vishay Semiconductors · 封装：SSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SSOP-4 封装。MOC8102-X017T
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管。CNY17-1X006
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-6 封装。VOM617A-7T
Vishay Semiconductors · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SOP-4 封装。VO615A-3
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、型号别名 SFH615A-3。LDA201
IXYS Integrated Circuits · 封装：DIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括输出类型 MOSFET、耗散功率（Pd） 800 mW、商品名称 Clare，采用 DIP-8 封装。H11D1-X009T
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 300 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。FOD2743BSDV
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD-DIP-8 封装。CPC1303G
IXYS Integrated Circuits
该型号为晶体管，主要参数包括湿敏性 是、商品名称 Clare。SFH6106-1X001T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-4 封装。SFH6186-4X001T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 55 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-4 封装。VOS628A-X001T
Vishay Semiconductors · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SOP-4 封装。MCT5210SM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-DIP-6 封装。SFH615A-4X008T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-4 封装。SFH615A-3X009T
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管。H11G2TVM
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、隔离电压 7500 Vrms、单件重量 0.030477 oz。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。