ISO7730DW
Texas Instruments · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 3 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 100 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Texas Instruments · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 3 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 100 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 1.8 V、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Broadcom / Avago · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、隔离类型 Magnetic Coupling、隔离电压 5.6 kV,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 3 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 90 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:QSOP-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 2 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling、类型 General Purpose,采用 QSOP-16 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V,采用 SOIC-16 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 3 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 3.3 V、工作电源电压 3.15~5.5 V,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices / Linear Technology · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、输出电流 100 mA、隔离类型 Magnetic Coupling、类型 ISOPwr,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 100 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-8 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 5 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、隔离电压 2.5 kVrms,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices / Linear Technology · 封装:SSOP-20
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、输出电流 400 mA、数据速率 25 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SSOP-20 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 3.3 V、工作电源电压 3~5.5 V,采用 SOIC-8 封装。Maxim Integrated · 封装:SOIC-16 Wide
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.71 V、数据速率 25 Mb/s,采用 SOIC-16 Wide 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、正向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 25 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 25 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。