TLP185(GRH-TL,SE
Toshiba · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SOP-4 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录PS2806-4-A
Renesas Electronics · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Photodarlington、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 90 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SOP-4 封装。FOD817D300W
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-4 封装。ILQ620-X009
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-16 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-16 Gull Wing 封装。TLP293-4(V4GBTPE
Toshiba · 封装：SO-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SO-16 封装。SFH690BT3
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms。H11G1TVM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 100 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 PDIP-6 封装。TCMT1117
Vishay Semiconductors · 封装：Details
该型号为晶体管，采用 Details 封装。HCPL-354-060E
Broadcom / Avago · 封装：SO-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SO-4 封装。TCDT1123G
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 90 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-6 封装。TLP385(E
Toshiba · 封装：SO-6-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SO-6-4 封装。HMHA2801AV
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SMD-4 封装。VOS615AT
Vishay Semiconductors · 封装：SSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SSOP-4 封装。4N30SM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 7500 Vrms，采用 SMD-DIP-6 封装。TLP292-4(V4-LA,E
Toshiba · 封装：SO-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SO-16 封装。SFH6286-4X001
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 55 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-4 封装。TCLT1113
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms。FOD2742BR2V
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SOIC-8 封装。PS2701-1-P-A
Renesas Electronics · 封装：SOP
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 80 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SOP 封装。SFH615A-3X007
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。