PS2533L-1-A
CEL · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 80 mA、最大集电极－发射极电压 350 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录ILD615-2X009T
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-8 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。ITC137P
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-16
该型号为晶体管，主要参数包括输出类型 MOSFET、耗散功率（Pd） 1 W、高度 2.108 mm、长度 10.16 mm、宽度 7.493 mm、商品名称 Clare，采用 SOIC-16 封装。TLP293-4(LGBTP,E
Toshiba · 封装：SO-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SO-16 封装。LDA111S
IXYS Integrated Circuits
该型号为晶体管，主要参数包括输出类型 MOSFET、商品名称 Clare。SFH618A-5X017T
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 55 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-4 Gull Wing 封装。FOD2741ASV
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD-DIP-8 封装。MOCD207R2VM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-Narrow-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SOIC-Narrow-8 封装。SFH615A-4X009
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-4 Gull Wing 封装。VO615A-8X016
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms。4N26-X009
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-6 封装。VOM617A-9X001T
Vishay Semiconductors · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SOP-4 封装。TLP385(GB,E
Toshiba · 封装：SO-6-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SO-6-4 封装。MOC8050TVM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 7500 Vrms，采用 PDIP-6 封装。VO615A-4
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、型号别名 SFH615A-4。4N35SR2VM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SMD-DIP-6 封装。HMHAA280V
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SMD-4 封装。H11A1SR2VM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SMD-DIP-6 封装。ILQ621GB-X017T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-16 封装。ILD2-X009T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。