PS2761B-1-V-F3-K-A
CEL
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、单件重量 0.002798 oz。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录H11B1SM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 25 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 7500 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。FOD2711ASDV
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：MDIP-8 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 MDIP-8 Gull Wing 封装。SFH615A-3X018T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-4 封装。ILQ620GB-X009T
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-16 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-16 Gull Wing 封装。VOM618A-4X001T
Vishay Semiconductors · 封装：SOP-4 Mini-Flat
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SOP-4 Mini-Flat 封装。ACPL-827-00CE
Broadcom / Avago · 封装：PDIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-8 封装。MCT61SD
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-8 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。CNY17-3X001
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 封装。ILQ615-4X009T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-16 封装。VOS617A-X001T
Vishay Semiconductors · 封装：SSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SSOP-4 封装。HMHA281R2V
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SMD-4 封装。CNY17-1X007
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD-6 封装。FOD8143SD
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD-4 封装。FOD817300W
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-4 封装。4N26TVM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 PDIP-6 封装。CNY66B
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管。ILQ620-X009T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-16 封装。H11AV1AVM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 PDIP-6 封装。MOCD207D2M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-Narrow-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SOIC-Narrow-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。