TLP785(GRL,F
Toshiba · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 16 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 10 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录CPC1001NTR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括输出类型 MOSFET、湿敏性 是、商品名称 Clare，采用 SOP-4 封装。MCT9001S
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-8 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 55 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。VOL618A-2X001T
Vishay Semiconductors · 封装：LSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 LSOP-4 封装。TCDT1122G
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 90 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 封装。VOS615A-2X001T
Vishay Semiconductors · 封装：SSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SSOP-4 封装。4N37SR2M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SMD-DIP-6 封装。IL755-2
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 60 V、隔离电压 5300 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 PDIP-6 封装。SFH640-3X019T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 300 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-6 封装。VOD223T
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photodarlington、隔离电压 4000 Vrms。FOD2741ASDV
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD-DIP-8 封装。PS2715-1-A
Renesas Electronics · 封装：SOP
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 40 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SOP 封装。4N27M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 PDIP-6 封装。VOL617A-2X001T
Vishay Semiconductors · 封装：LSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 LSOP-4 封装。4N35SVM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SMD-DIP-6 封装。VOM618AT
Vishay Semiconductors · 封装：SOP-4 Mini-Flat
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SOP-4 Mini-Flat 封装。VOM617A-7X001T
Vishay Semiconductors · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SOP-4 封装。CNY17F4SR2M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 7500 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。CPC1302GS
IXYS Integrated Circuits
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、隔离电压 3750 Vrms、商品名称 Clare。H11AG1SM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 7500 Vrms，采用 SMD-DIP-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。