4N33SR2M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 80 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 7500 Vrms，采用 SMD-DIP-6 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录H11G2M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 PDIP-6 封装。CNY17-4M
Lite-On · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 封装。MOCD211M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-Narrow-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SOIC-Narrow-8 封装。4N36SM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SMD-DIP-6 封装。FODM121AR2V
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 80 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SMD-4 封装。4N26SR2M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 SMD-DIP-6 封装。SFH6206-2T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-4 封装。MCT9001
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 55 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-8 封装。CNY17-3-000E
Broadcom / Avago · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 300 uA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 封装。FODM2705
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 80 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SMD-4 封装。CPC1301GR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、隔离电压 5000 Vrms、湿敏性 是、商品名称 Clare，采用 SOP-4 封装。LTV-844
Lite-On · 封装：PDIP-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-16 封装。LTV-247
Lite-On · 封装：SOP-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3000 Vrms，采用 SOP-16 封装。LTV-844S
Lite-On · 封装：SMD-DIP-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD-DIP-16 封装。LTV-845S
Lite-On · 封装：PDIP-16 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 80 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-16 Gull Wing 封装。LTV-845
Lite-On · 封装：PDIP-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 80 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-16 封装。PS2502L-1-A
CEL · 封装：SMD-DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 80 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 200 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD-DIP-4 封装。PS2705-1-A
CEL · 封装：SOP
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 80 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SOP 封装。LTV-208
Lite-On · 封装：SOP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 30 mA、隔离电压 3750 Vrms、耗散功率（Pd） 125 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 SOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。