4N35S-TA
Lite-On · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 3550 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录LTV-824H
Lite-On · 封装：PDIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 100 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 80 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-8 封装。LTV-702FS-TA1
Lite-On · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。LTV-702VS-TA1
Lite-On · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。LTV-825S
Lite-On · 封装：PDIP-8 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 80 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。4N26S-TA
Lite-On · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 1500 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。LTV-702FM
Lite-On · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 封装。LTV-733
Lite-On · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 封装。LTV-826S-TA1
Lite-On · 封装：PDIP-8 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。CNY17-2S-TA
Lite-On · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。LTV-827S-TA
Lite-On
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms。LTV-358T
Lite-On · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 120 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SMD-4 封装。LTV-815S-TA
Lite-On · 封装：PDIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 80 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-4 Gull Wing 封装。LTV-817M
Lite-On · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-4 封装。LTV-814M
Lite-On · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-4 封装。CNY17-1S-TA1
Lite-On · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。LTV-817S-B
Lite-On · 封装：PDIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-4 Gull Wing 封装。CNY17F3M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 7500 Vrms，采用 PDIP-6 封装。SFH6106-3T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-4 封装。MOC213M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-Narrow-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SOIC-Narrow-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。