LDA213
IXYS Integrated Circuits
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photodarlington、隔离电压 3750 Vrms、商品名称 Clare。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录SFH640-3
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 300 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-6 封装。H11D2-X007
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 300 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。ILD615-3X017T
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-8 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。SFH640-2X007
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 300 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-6 封装。H11D1-X007
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 300 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。CPC1302GSTR
IXYS Integrated Circuits
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、隔离电压 3750 Vrms、商品名称 Clare。H11D1-X007T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 300 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-6 封装。ILD74-X017T
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-8 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 20 V、隔离电压 5300 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。TCET4100
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-16 封装。PS2911-1-L-AX
Renesas Electronics · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 40 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SMD-4 封装。ILD74-X009T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 20 V、隔离电压 5300 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 SMD-8 封装。ILD615-3
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-8 封装。PS2911-1-M-AX
Renesas Electronics · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 40 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SMD-4 封装。ILD615-3X017
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-8 封装。ILD2-X007
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-8 封装。ILD2-X006
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-8 封装。ILD1-X009T
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-8 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 50 V、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。ILD1-X009
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-8 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 50 V、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。ILD2-X009
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。