SFH640-3X007T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-6 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录LDA202S
IXYS Integrated Circuits
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、商品名称 Clare。PS2733-1-A
Renesas Electronics · 封装：SOP
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 350 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SOP 封装。ITC117P
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-16
该型号为晶体管，主要参数包括输出类型 MOSFET、耗散功率（Pd） 1 W、高度 2.108 mm、长度 10.16 mm、宽度 7.493 mm、商品名称 Clare，采用 SOIC-16 封装。ILD755-2X007T
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管。ILQ74-X009T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 20 V、隔离电压 5300 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 SMD-16 封装。ILQ55-X009T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 55 V、最大集电极电流 125 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-16 封装。ILQ32-X009T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 125 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-16 封装。ILQ31
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 20 mA、最大集电极电流 125 mA、隔离电压 5300 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 PDIP-16 封装。ILQ32-X007T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 125 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-16 封装。ILQ615-2X007
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-16 封装。ILQ621
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-16 封装。ILQ615-4X007
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-16 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-16 Gull Wing 封装。ILQ615-1X009
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-16 封装。ILQ615-1
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-16 封装。ILD1615-4
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 DIP-8 封装。ILD615-1X007
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-8 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。ILD615-4X006
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-8 封装。IL252-X007T
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、隔离电压 5300 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。ILD615-2X001
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。