PS2565L1-1-V-A
Renesas Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 80 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录CNY117-4X006
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 封装。PS2513L-1-F3-A
Renesas Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 120 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms。PS2513-1-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 120 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 封装。MCT62H
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-8 封装。IL755-1X007
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 60 V、隔离电压 5300 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。LTV-816M
Lite-On · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-4 封装。LTV-817S-A
Lite-On · 封装：PDIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-4 Gull Wing 封装。LTV-815M
Lite-On · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 80 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-4 封装。CNY17F-3S-TA1
Lite-On · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。CNY17F-4S-TA
Lite-On · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。CNY17F-1S
Lite-On · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。CNY17F-4M
Lite-On · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 封装。4N26S-TA1
Lite-On · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 1500 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。4N25S-TA
Lite-On · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。CNY17F-2
Lite-On · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 封装。LTV-702FS
Lite-On · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。ILQ615-3X009T
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5300 Vrms。ILQ621-X007T
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-16 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-16 Gull Wing 封装。ILQ2-X016
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 DIP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。