FOD2741ASD
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD-DIP-8 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录SFH619A-X007
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 300 V、最大集电极电流 125 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-4 封装。FOD2741AV
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-8 封装。VO618A
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、隔离电压 5300 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 DIP-4 封装。PS2802-1-L-A
Renesas Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、隔离电压 2500 Vrms。FOD2741B
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-8 封装。LDA100STR
IXYS Integrated Circuits
该型号为晶体管，主要参数包括输出类型 MOSFET、商品名称 Clare。MCT6W
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-8 封装。SFH6286-2
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 55 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-4 封装。SFH6106-2X001T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-4 封装。MOC8204SR2M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 80 mA、最大集电极－发射极电压 400 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 7500 Vrms，采用 SMD-DIP-6 封装。SFH618A-5X016
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 55 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-4 封装。IL222AT
Vishay Semiconductors · 封装：SOIC-Narrow-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 4000 Vrms，采用 SOIC-Narrow-8 封装。SFH601-3X017T
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 100 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。ILD1
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 50 V、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 DIP-8 封装。H11D3
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 200 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 DIP-6 封装。SFH601-3X007T
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 100 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。IL250
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、隔离电压 5300 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 DIP-6 封装。MCT6-X007T
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-8 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。FOD2743BSV
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD-DIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。